规格:最大漏源电阻值 81 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6416ANT4G, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
规格:最大漏源电阻值 81 mΩ,
制造商零件编号:
NTD6416ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2935
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDFS6N754, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 81 mΩ,
制造商零件编号:
FDFS6N754
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9125
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF36N60NT, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 81 mΩ,
制造商零件编号:
FCPF36N60NT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7922
查看其他仓库
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ4946AEY-T1_GE3, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 81 mΩ,
制造商零件编号:
SQ4946AEY-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9471
搜索
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6416AN-1G, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 81 mΩ,
制造商零件编号:
NTD6416AN-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2929
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