品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRL2203NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9985
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004SPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRL1004SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2127
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4744
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4889
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9321PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9246
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL2203N, 75 A, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRL2203N
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9212
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4L-04, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IPI80P03P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6794
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808SPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3808SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3303
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3709ZPBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR3709ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3941
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9317PBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9317PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4039
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7456PBF, 16 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7456PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1342
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205ZPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3205ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6829
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF3808
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1796
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P03P4L-04, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80P03P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5554
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808PBF, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3808PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2815
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Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004PBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRL1004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2105
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NSPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRL2203NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0361
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7457PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7457PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0888
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7805ZPBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7805ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4053
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9317PBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9317PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9243
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4310, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFS4310
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7486
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Infineon N沟道 MOSFET IPP80N06S2L-07, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80N06S2L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8388
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808SPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3808SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5762
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808S, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF3808S
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8627
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7410PBF, 16 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 7 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3926
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