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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL2203NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9985
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004SPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL1004SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2127
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4744
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4889
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9321PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9321PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9246
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7672, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC7672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6291
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3622S, 34 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS3622S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1168
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL2203N, 75 A, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRL2203N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9212
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R6-60BS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R6-60BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2987
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75545P3, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  HUF75545P3
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-6695
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD100N04-3M6L_GE3, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQD100N04-3M6L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3939
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4L-04, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI80P03P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6794
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH5500_F085, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDH5500_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8161
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86540, 18 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS86540
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8708
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808SPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3808SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3303
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3709ZPBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3709ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3941
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9317PBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9317PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4039
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-07L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SUM110P06-07L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5756
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF55-06, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP80NF55-06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6597
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB80NF55L-06T4, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB80NF55L-06T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1567
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7456PBF, 16 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7456PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1342
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA160N08, 160 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA160N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4900
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205ZPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3205ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6829
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH3702TR2PBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH3702TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  725-9256
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3808
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1796
  
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