以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH6200TR2PBF, 45 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH6200TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7284
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL9403_F085, 240 A, Vds=40 V, 8引脚 PSOF封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDBL9403_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8001
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7434-7PPBF, 362 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS7434-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3356
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7749L2TR1PBF, 200 A, Vds=60 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7749L2TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5371
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP015N04NGXKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP015N04NGXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6827
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS7650DC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4939
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS015N04B, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS015N04B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9165
  
• 
  查看其他仓库

• NXP N沟道 Si MOSFET PSMN1R5-25YL, 100 A, Vds=25 V, 4引脚 LFPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R5-25YL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-6965
  
• 
  搜索

• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17559Q5, 257 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD17559Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4868
  
• 
  搜索