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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPD65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5591
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPD50R1K4CEBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4607
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPA03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPA03N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3138
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R1K4C6XKSA1, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPP60R1K4C6XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6921
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R600C6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPA65R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7156
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 SPP03N60S5, 3.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPP03N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6341
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPU50R1K4CEBKMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPU50R1K4CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7069
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD80R1K4CE, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPD80R1K4CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7159
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPD03N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3175
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPA65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5585
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R1K4C6ATMA1, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 1.4 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPD60R1K4C6ATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9187
  
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