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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104LPBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1104LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1077
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFR3504ZPBF, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3504ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4362
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670AS, 13.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6670AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0586
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP3632
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4828
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6923
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3317
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR3607, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3607
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1841
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP090N10, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP090N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9670
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4916NR2G, 11.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMS4916NR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1068
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR850DP-T1-GE3, 20 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIR850DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1294
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N06S4-09, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9175
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3607TRLPBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS3607TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4108
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8651, 64 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC8651
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4954
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1514URH, 66 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDU1514URH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5019
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06N, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP060N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2276
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0272
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4946
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8714PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-681
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1994
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7809AVPBF, 13.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7809AVPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1112
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7821PBF, 13.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7821PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4069
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB3632
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0334
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4410ZPBF, 97 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4410ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7106
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7134
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLU8259PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7291
  
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