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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1018ETRPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 8.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR1018ETRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4022
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP80N06S2L-06, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 8.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6993
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7787TRLPBF, 76 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 8.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS7787TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4221
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR1018E, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 8.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR1018E
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1831
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7787PBF, 76 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 8.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB7787PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4161
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1018ESTRLPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 8.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1018ESTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4932
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1018E, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 8.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1018E
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9111
  
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