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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4101PT1G, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTR4101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5071
  
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• ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTMD3P03R2G, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMD3P03R2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9137
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTJS3157NT1G, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTJS3157NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0624
  
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• Panasonic MTM 系列 N沟道 Si MOSFET MTM232270LBF, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SMini3-G1-B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MTM232270LBF
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7664
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 EMH2801-TL-H, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  EMH2801-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9456
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS205N H6327, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSS205N H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2374
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN64N50P, 61 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN64N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-568
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1417EDH-T1-E3, 2.7 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI1417EDH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3229
  
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• Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2311CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TSM2311CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6055
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD640N06L G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD640N06L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8375
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP250PBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP250PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0032
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4101PT1G, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTR4101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9152
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMV56XN,215, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PMV56XN,215
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8332
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP4051LK3-13, 10.5 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP4051LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4281
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STD16NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD16NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9550
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK64N50Q3, 64 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK64N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1424
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N50Q3, 64 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFX64N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1503
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5490NLT4G, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVD5490NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1083
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPW55N80C3, 55 A, Vds=850 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPW55N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7677
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN64N50P, 61 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN64N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0789
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP20NF06L, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 85 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP20NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8761
  
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