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• Fairchild Semiconductor J107 N通道 JFET 晶体管, Idss: 100mA, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  J107
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-1741
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2110A, 230 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  ZVP2110A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  157-4580
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF20PBF, 1.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFBF20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9541
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2110A, 230 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  ZVP2110A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7784
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159N, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS159N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2841
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STU1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STU1HN60K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7949
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD1HN60K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9289
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI1025X-T1-GE3, 135 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  SI1025X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3029
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159N, 130 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS159N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8254
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1330EDL-T1-GE3, 240 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  SI1330EDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3069
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2110GTA, 310 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  ZVP2110GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1845
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS84PH6433XTMA1, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS84PH6433XTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9266
  
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• DiodesZetex 双 P沟道 Si MOSFET DMP56D0UV-7, 160 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMP56D0UV-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3231
  
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• NXP PMBFJ108,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: min. 80mA, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  PMBFJ108,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-3213
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2NK60Z-1, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD2NK60Z-1
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9566
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN65D8LDW-7, 200 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMN65D8LDW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2602
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP56D0UFB-7, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMP56D0UFB-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3222
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN3765K4-G, 300 mA, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  DN3765K4-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3360
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS84P, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS84P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  653-2288
  
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