规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB11N50APBF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB11N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1944
搜索
ROHM N沟道 Si MOSFET ZDX130N50, 13 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
ZDX130N50
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7841
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPD50R520CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5334
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPA60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8609
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP12N50NZ, 11.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
FDP12N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8534
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R500CE, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPP50R500CE
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2270
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB7N50APBF, 6.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IRFIB7N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1966
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPD60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7545
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP11NK50Z, 10 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
STP11NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7456
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP11NK50ZFP, 10 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
STP11NK50ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2177
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF12N50NZ, 11.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
FDPF12N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4872
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF7N60NT, 6.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
FCPF7N60NT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5069
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R520CP, 7.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPP50R520CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6912
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R520E6, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 520 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R520E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6928
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