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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2312CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 51 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TSM2312CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6059
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
  
  规格：最大漏源电阻值 51 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQJ850EP-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9500
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 51 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI2318CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4205
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 51 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI2318CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9036
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP101-TL-H, 25 A, Vds=30 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 51 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ATP101-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0740
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS3136PT1G, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 51 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTGS3136PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0563
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 51 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI2318CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5898
  
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