规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC057N03MS G, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
BSC057N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5279
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
IPP072N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5480
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8325TR2PBF, 82 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFH8325TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4375
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
CSD16323Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4707
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7678, 63 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC7678
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9538
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
FDP5800
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9178
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86310, 50 A, 105 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86310
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9200
查看其他仓库
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16322Q5C, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
CSD16322Q5C
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4694
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16322Q5, 97 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
CSD16322Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4697
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7740PBF, 87 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 7.2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR7740PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3337
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