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• Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ901D, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BUZ901D
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  841-069
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60Z, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP10NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7412
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP12NK80Z, 10.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP12NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5263
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP10N60NZ, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP10N60NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9166
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF10N62K3, 8.4 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF10N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2723
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N60C3, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP06N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2175
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60ZFP, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP10NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8723
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK80Z, 10.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW12NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8859
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMG1012UW-7, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMG1012UW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4073
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STI10N62K3, 8.4 A, Vds=620 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STI10N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9954
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A60D,S5Q(J, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 SC-67封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK10A60D,S5Q(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4996
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF10N60NZ, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDPF10N60NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3582
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF10N60ZH, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDF10N60ZH
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  806-5052
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60ZFP, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP10NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7428
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB6N60APBF, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIB6N60APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1950
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA13N80_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4897
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQAF13N80, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQAF13N80
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4982
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3437DV-T1-GE3, 1.1 A, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3437DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3276
  
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• IXYS HiperFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK20N120, 20 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK20N120
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5342
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R750PTH, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MMF60R750PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5040
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R750E6, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA60R750E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2315
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW10NK60Z, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW10NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-3079
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB9N60APBF, 9.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB9N60APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1922
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFS9N60APBF, 9.2 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS9N60APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9995
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB10NK60ZT4, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 750 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB10NK60ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5175
  
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