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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17306Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD17306Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4824
  
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• Panasonic FK 系列 Si N沟道 MOSFET FK8V03020L, 14 A, Vds=33 V, 8引脚 WMini8-F1封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FK8V03020L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  760-2931
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58E06N1, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK58E06N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5106
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5166
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042N03MSG, 93 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC042N03MSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5312
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2401
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N08N3G, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP057N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9471
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6249
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL90N6F7, 90 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 5.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL90N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2855
  
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