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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 Si N沟道 MOSFET STW56N65DM2, 48 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW56N65DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6486
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1673
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDN337N, 2.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDN337N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0429
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK39A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5122
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5138
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFX80N50Q3, 80 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFX80N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1500
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6211
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2066LVT-7, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOT-26封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP2066LVT-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3212
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2372
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705TRPBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2705TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4809
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6402TRPBF, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML6402TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-322
  
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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2302CX RFG, 2.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TSM2302CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  398-423
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD18N06LT4G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD18N06LT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5121
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR024NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9935
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU5305PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9951
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR5305PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2496
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDT452AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1100
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL207SP, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSL207SP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2781
  
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• DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET ZXMC3A17DN8TA, 4.4 A，5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMC3A17DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-3400
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTD18N06LT4G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD18N06LT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7875
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH6442-TL-E, 6 A, Vds=60 V, 6引脚 CPH封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CPH6442-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0815
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI8806DB-T2-E1, 3.9 A, Vds=12 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI8806DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9272
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3056LSS-13, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP3056LSS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-4037
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341TRPBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7341TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8891
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 65 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6218
  
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