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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SIHP24N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9344
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB9N65APBF, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB9N65APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1938
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHB24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SiHB24N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9316
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG64N65E-GE3, 64 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG64N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4493
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFIB5N65APBF, 5.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIB5N65APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1134
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG24N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9335
  
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