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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R125CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7478
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW28N60DM2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STW28N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6480
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW43N60DM2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STW43N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6483
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 Si N沟道 MOSFET STW56N65DM2, 48 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STW56N65DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6486
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPB60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8356
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R045CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8397
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2995
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3049
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R070C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3068
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPA04N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3147
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPW11N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3213
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STB11NM60T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9474
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STP20NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9667
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STD13NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9881
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW30N65M5, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STW30N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0317
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STF15NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0446
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB32N65M5, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STB32N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0676
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STF10NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2732
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF12N65M5, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STF12N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2748
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STF21N65M5, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STF21N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2770
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SIHP24N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9344
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STF24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2924
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STW24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3090
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STB24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3103
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STD6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STD6N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3615
  
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