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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPP21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3207
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8794
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPB16N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3150
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW32N50C3, 32 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPW32N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3226
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8772
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP04N50C3XKSA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPP04N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8788
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8790
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPA12N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3140
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N50C3ATMA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPD04N50C3ATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3178
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPW16N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3217
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R399CPXKSA1, 9 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  IPI50R399CPXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4691
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPI08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPI08N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8750
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP04N50C3, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPP04N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8784
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPA08N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8463
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW52N50C3, 52 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPW52N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8518
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET SPB21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPB21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3162
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPD03N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3175
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPD08N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3184
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI12N50C3XKSA1, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPI12N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8766
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI21N50C3XKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8781
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPP16N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8817
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电压 560 V,
• 制造商零件编号：
  SPW21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7179
  
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