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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4286DY-T1-GE3, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI4286DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3211
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD100N04-3M6L_GE3, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SQD100N04-3M6L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3939
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI2318CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4205
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4906DY-T1-E3, 5.3 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI4906DY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3367
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4840BDY-T1-GE3, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI4840BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4736
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUD50P04-13L-E3, 60 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SUD50P04-13L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5067
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI2318CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9036
  
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• Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4554DY-T1-GE3, 8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI4554DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9238
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQM120N04-1m8-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SQM120N04-1m8-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9519
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4124DY-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI4124DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3195
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI5410DU-T1-GE3, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI5410DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1315
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI7288DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1390
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM90N04-3m3P-E3, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SUM90N04-3m3P-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7483
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI7288DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4334
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SQD50N04-4M5L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4359
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5891
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9042
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ3419EV-T1_GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SQ3419EV-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9452
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N04-1m7L-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SQM120N04-1m7L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9516
  
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• Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4599DY-T1-GE3, 4.7 A，6.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI4599DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3233
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR418DP-T1-GE3, 23 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SIR418DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1275
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM200N04-1M1L-GE3, 200 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SQM200N04-1M1L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3949
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4208
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI2318CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5898
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4567DY-T1-E3, 4.4 A, 5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 40 V,
• 制造商零件编号：
  SI4567DY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3349
  
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