品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
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10.4mm(15)
15.8mm(2)
15.25mm(2)
3.25mm(1)
4.75mm(2)
8.9mm(1)
9.5mm(1)
5mm(5)
6.35mm(2)
6.6mm(3)
9.6mm(1)
4.6mm(1)
9.17mm(1)
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10.4 x 9.17 x 4.8mm(1)
10.4 x 9.35 x 4.6mm(4)
10.4 x 15.8 x 4.8mm(1)
10.4 x 4.6 x 10.75mm(1)
15.8 x 10.4 x 4.8mm(1)
3.25 x 3.1 x 0.9mm(1)
10.4 x 4.6 x 15.75mm(5)
10.4 x 4.6 x 9.15mm(2)
10.4 x 4.6 x 9.35mm(1)
15.25 x 10.4 x 4.8mm(2)
5 x 4 x 1.5mm(3)
6.6 x 6.2 x 2.4mm(2)
4.75 x 5.75 x 0.85mm(1)
4.6 x 2.6 x 0.44mm(1)
4.75 x 5.75 x 0.88mm(1)
9.5 x 9.4 x 3.5mm(1)
5 x 5 x 0.88mm(2)
6.6 x 2.4 x 6.2mm(1)
6.35 x 5.4 x 0.95mm(2)
9.6 x 9.5 x 3.6mm(1)
8.9 x 10.4 x 4.8mm(1)
9.17 x 10.4 x 4.8mm(1)
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17 dB(2)
14 dB(1)
19 dB(2)
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106 ns(1)
140 ns(2)
148 ns(3)
125 ns(1)
190 ns(3)
170 ns(2)
108 ns(2)
110 ns(2)
205 ns(1)
40 ns(3)
46.1 ns(2)
32 ns(1)
350 ns(1)
90 ns(1)
450 ns(1)
80 ns(3)
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10.5 ns(2)
15 ns(2)
22 ns(1)
25 ns(1)
18 ns(1)
28 ns(3)
30 ns(2)
19 ns(1)
24 ns(1)
70 ns(1)
35 ns(5)
49.4 ns(2)
80 ns(1)
20 ns(3)
43 ns(3)
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16 pF @ 13.6 V(1)
17930 pF @ 25 V(1)
1550 pF@ 25 V(1)
13800 pF @ 25 V(1)
11500 pF @ 25 V(2)
13800 pF @ 15 V(2)
3850 pF @ 25 V(2)
2150 pF @ 25 V(2)
20000 pF @ 25 V(2)
5900 pF@ 25 V(1)
7400 pF @ 25 V(1)
34 pF@ 12 V.5 V(1)
7400 pF@ 25 V(1)
8130 pF@ 20 V(1)
5100 pF @ 25 V(1)
5100 pF V @ 25(1)
5100 pF@ 25 V(3)
58 pF @ 12.5 V(1)
89 pF @ 12.5 V(1)
2200 pF@ 25 V(1)
2850 pF @ 25 V(2)
2850 pF @ -25 V(1)
34 pF @ 12 V.5 V(1)
3525 pF @ -25 V(2)
4300 pF@ 25 V(1)
7735 pF @ 20 V(1)
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110 nC @ 10 V(4)
180 nC(1)
141 nC @ 10 V(2)
170 nC @ 10 V(1)
170 nC V @ 10(1)
340 nC @ 10 V(1)
36 nC @ 10 V(2)
130 nC @ 10 V(1)
150 nC @ 10 V(1)
240 nC @ 10 V(3)
34 nC @ 4.5 V(2)
45 nC @ 4.5 V(1)
65 nC @ 10 V(2)
40 nC @ 10 V(1)
5 nC @ 5 V(1)
80 nC @ 10 V(1)
22 nC @ 4.5 V(3)
25 nC @ 10 V(1)
377 nC @ 10 V(2)
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PowerFLAT(7)
DPAK(1)
SOT-89(1)
I2PAK(2)
H2PAK-2(2)
H2PAK(6)
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150 W(2)
14 W(2)
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300000 mW(2)
300 W(8)
330 W(1)
4 W(1)
80 W(1)
70 W(2)
52.8 W(1)
6 W(1)
75 W(1)
73 W(1)
310 W(1)
60 W(1)
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2 A(1)
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8 A(1)
4 A(1)
60 A(2)
5 A(1)
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH410N4F7-6AG, 200 A, Vds=40 V, 6针+焊片 H2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STH410N4F7-6AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6467
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP100NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STP100NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2161
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STB100NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5093
搜索
STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP95N4F3, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STP95N4F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9720
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STP200NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0064
搜索
STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL140N4LLF5, 140 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STL140N4LLF5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0540
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-2, 200 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STH320N4F6-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7680
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-6, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 H2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STH320N4F6-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7683
搜索
STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD55015-E, 5 A, Vds=40 V, 10引脚 PowerSO封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
PD55015-E
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0627
搜索
STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si N沟道 MOSFET STH175N4F6-2AG, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STH175N4F6-2AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5660
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL60P4LLF6, 60 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STL60P4LLF6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5689
搜索
STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD55008-E, 4 A, Vds=40 V, 3引脚 PowerSO封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
PD55008-E
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2810
搜索
STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STL8P4LLF6, 8 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STL8P4LLF6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2846
搜索
STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STS7P4LLF6, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STS7P4LLF6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2864
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB200NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STB200NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
134-576
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD80N4F6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STD80N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9308
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP400N4F6, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STP400N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-6094
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS10P4LLF6, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STS10P4LLF6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5711
搜索
STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si N沟道 MOSFET STP120N4F6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STP120N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2955
搜索
STMicroelectronics 双 N沟道 Si MOSFET VNS1NV04DP-E, 3.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
VNS1NV04DP-E
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
917-2797
搜索
STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET PD55003L-E, 2.5 A, Vds=40 V, 14引脚 PowerFLAT封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
PD55003L-E
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6771
搜索
STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STH270N4F3-6, 180 A, Vds=40 V, 8引脚 H2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STH270N4F3-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0528
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STI300N4F6, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STI300N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7696
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STU80N4F6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STU80N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7955
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH160N4LF6-2, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK-2封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STH160N4LF6-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5849
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