品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004SPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRL1004SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2127
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104LPBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF1104LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1077
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241PBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF7241PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1459
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFR3504ZPBF, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFR3504ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4362
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZSPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF1404ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8759
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4004PBF, 350 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFP4004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6986
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
AUIRF1404ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7695
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2804S, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
AUIRF2804S
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7734
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF4104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5545
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804PBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF2804PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5558
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5004TR2PBF, 28 A, Vds=40 V, 8引脚 QFN封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFH5004TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9268
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9347
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404, 202 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
AUIRF1404
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1756
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
BSZ105N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5361
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
BSZ097N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5367
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
BSZ165N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5377
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZL, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
AUIRL1404ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4334
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
AUIRL1404ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4337
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7437-7PPBF, 195 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFS7437-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9141
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9157
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7430PBF, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFB7430PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9172
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404SPBF, 162 A, Vds=40 V, 4引脚 SMD-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF1404SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0271
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFS7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8975
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Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
AUIRFR8403
品牌:
Infineon
库存编号:
787-0982
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