规格:最大漏源电压 40 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP PMBF4393,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=40 V, Idss: 50 → 150mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
PMBF4393,215
品牌:
NXP
库存编号:
103-8160
搜索
NXP PMBFJ113,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=40 V, Idss: min. 2mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
PMBFJ113,215
品牌:
NXP
库存编号:
112-5504
查看其他仓库
NXP BSR57,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=40 V, Idss: 20 → 100mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
BSR57,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-3134
搜索
NXP PMBFJ111,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=40 V, Idss: min. 20mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
PMBFJ111,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-3257
查看其他仓库
NXP PMBF4391,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=40 V, Idss: 50 → 150mA, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
PMBF4391,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-3229
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Toshiba Si P沟道 MOSFET TPCA8107-H(TE12L,Q,M), 7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-427
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH410N4F7-6AG, 200 A, Vds=40 V, 6针+焊片 H2PAK封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STH410N4F7-6AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6467
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP100NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STP100NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2161
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004SPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRL1004SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2127
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104LPBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF1104LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1077
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241PBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF7241PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1459
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFR3504ZPBF, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFR3504ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4362
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZSPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF1404ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8759
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8441, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
FDB8441
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0343
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
STB100NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5093
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4004PBF, 350 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFP4004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6986
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
AUIRF1404ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7695
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2804S, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
AUIRF2804S
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7734
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF4104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5545
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804PBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRF2804PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5558
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5811NLTWG, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
NTTFS5811NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2991
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTTFS5811NLTAG, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
NTTFS5811NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2998
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5004TR2PBF, 28 A, Vds=40 V, 8引脚 QFN封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRFH5004TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9268
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRLH5034TR2PBF, 29 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRLH5034TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
725-9331
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电压 40 V,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9347
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