品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP14N30, 14.4 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
制造商零件编号:
FQP14N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5039
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
制造商零件编号:
FDB14N30TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8949
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP3N30, 3.2 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
制造商零件编号:
FQP3N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5872
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA44N30, 43 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
制造商零件编号:
FQA44N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-8988
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP22N30, 21 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
制造商零件编号:
FQP22N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5058
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB38N30U, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
制造商零件编号:
FDB38N30U
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0818
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD7N30TM, 5.5 A, Vds=300 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
制造商零件编号:
FQD7N30TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1037
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB28N30TM, 28 A, Vds=300 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电压 300 V,
制造商零件编号:
FDB28N30TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8970
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