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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR2407PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1162
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF2907ZLPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8816
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZS-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8844
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047AN08A0, 15 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  FDP047AN08A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4783
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6923
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3077PBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3077PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6970
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4368PBF, 350 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4368PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7002
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2907Z, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP2907Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7467
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR3607, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3607
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1841
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3502, 14 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  FDB3502
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8977
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  FDP032N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9169
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP210N75F6, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  STP210N75F6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9676
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STV240N75F3, 240 A, Vds=75 V, 10引脚 PowerSO封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  STV240N75F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0253
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZPBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0278
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3007, 75 A，80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3007
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9127
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3107-7P, 240 A，260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3107-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9168
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3607TRLPBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3607TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4108
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N08S2-07, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80N08S2-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6782
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GHKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IPP052NE7N3GHKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6845
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08S2-07, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IPP100N08S2-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6861
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7787TRPBF, 68 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRFH7787TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4183
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7787TRLPBF, 76 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7787TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4221
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808SPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRF3808SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3303
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734-7PPBF, 197 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7734-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3365
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042NE7NS3 G, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大漏源电压 75 V,
• 制造商零件编号：
  BSC042NE7NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4334
  
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