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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI4214DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3327
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4812BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI4812BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3355
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936CDY-T1-GE3, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI4936CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3370
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SIR466DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3406
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS406DN-T1-GE3, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SIS406DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3418
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2307BDS-T1-E3, 2.5 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI2307BDS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4679
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3454ADV-T1-E3, 3.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI3454ADV-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4695
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936BDY-T1-E3, 5.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI4936BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4746
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI4925DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9052
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  Si1308EDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9121
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SIRA02DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9361
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9367
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SIRA04DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9370
  
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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SISA12DN-T1-GE3, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SISA12DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9402
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2343CDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI2343CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3120
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si2338DS-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  Si2338DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3126
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI3993CDV-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI3993CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3189
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4168DY-T1-GE3, 24 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI4168DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3192
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4431CDY-T1-GE3, 7.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI4431CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3215
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA449DJ-T1-GE3, 10.4 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SIA449DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1213
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI5997DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1365
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI8487DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1429
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4410EY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SQ4410EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3911
  
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• Vishay PowerPAIR 系列 双 Si N沟道 MOSFET SIZ340DT-T1-GE3, 30 A,40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAIR封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SIZ340DT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  830-6249
  
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• Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  SI4712DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4328
  
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