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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17306Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17306Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4824
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17553Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17553Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4861
  
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• Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD87331Q3D, 45 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD87331Q3D
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4940
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17484F4T, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17484F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9936
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17579Q3AT, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17579Q3AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3849
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17483F4T, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17483F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9243
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17307Q5A, 73 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17307Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4833
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17308Q3, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17308Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4836
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 CSD17483F4, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17483F4
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4846
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17507Q5A, 65 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17507Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4855
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17556Q5B, 215 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17556Q5B
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4864
  
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• Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD87350Q5D, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD87350Q5D
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4943
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17570Q5BT, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17570Q5BT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3827
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17578Q3AT, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17578Q3AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3846
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17505Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17505Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  730-0543
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17506Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17506Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  742-2842
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17303Q5, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17303Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4820
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17381F4, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17381F4
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4842
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17313Q2, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17313Q2
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4849
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17573Q5BT, 43 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17573Q5BT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3821
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17576Q5BT, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17576Q5BT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3830
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17577Q5AT, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17577Q5AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3837
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17381F4T, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17381F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9240
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17301Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17301Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4818
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17552Q3A, 74 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
  
  品牌：Texas Instruments,规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17552Q3A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4852
  
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