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• NXP BF545A,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 2.0 → 6.5mA, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  BF545A,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2327
  
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• NXP BF556A,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 3 → 7mA, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  BF556A,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2355
  
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• NXP PMBFJ175,215 P通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 7 → 70mA, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  PMBFJ175,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-3285
  
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• NXP PMBFJ176,215 P通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 2 → 35mA, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  PMBFJ176,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-3291
  
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• ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 1.2 → 3mA, 3引脚 CP封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  2SK3666-3-TB-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  792-5161
  
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• ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 0.6 → 1.5mA, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  2SK3666-2-TB-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9364
  
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• ON Semiconductor TF412ST5G N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 1.2 → 3mA, 3引脚 SOT-883封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  TF412ST5G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  867-3287
  
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• NXP PMBFJ174,215 P通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 20 → 135mA, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  PMBFJ174,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-3263
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N03FTA, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  ZXM61N03FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  154-964
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  STS4DPF30L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  248-861
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BSP100, 3.2 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  BSP100
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  261-606
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7503TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-290
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7506TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-307
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7201PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-565
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A，2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7509TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-192
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-038
  
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• Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  TPC6108(TE85L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-336
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  IRF8707PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-871
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PH8230E,115, 67 A, Vds=30 V, 5引脚 LFPAK封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  PH8230E,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-150
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R0-30YL, 91 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R0-30YL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8126
  
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• NXP Si P沟道 MOSFET BSP250, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  BSP250
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8317
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-03, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  IPD90N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7479
  
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• NXP 双 Si N/P沟道 MOSFET PHC21025, 2.3 A，3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  PHC21025
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  484-5380
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS5PF30L, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  STS5PF30L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-8370
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电压 30 V,
• 制造商零件编号：
  IRLL3303PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9890
  
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