规格:最大漏源电压 25 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP BFR31 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 1 → 5mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
BFR31,215
品牌:
NXP
库存编号:
484-2498
搜索
ON Semiconductor MMBFJ310LT1G N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 24 → 60mA, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
MMBFJ310LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
625-5745
搜索
NXP PMBFJ109,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: min. 40mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
PMBFJ109,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-3235
搜索
NXP PMBFJ110,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: min. 10mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
PMBFJ110,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-3241
搜索
NXP BF861A,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 2.0 → 6.5mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
BF861A,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2383
搜索
NXP BF861B,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 6 → 15mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
BF861B,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2399
搜索
NXP BF861C,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 12 → 25mA, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
BF861C,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2412
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDV303N, 680 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
FDV303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4890
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8252PBF, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
IRF8252PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6885
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8256PBF, 81 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
IRLR8256PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7238
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SI4116DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3317
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6718L2TRPBF, 270 A, Vds=25 V, 9引脚 DirectFET L6封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
IRF6718L2TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5369
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5255TR2PBF, 15 A, Vds=25 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
IRFH5255TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
737-7271
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
FDC6301N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0155
搜索
Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG6322C, 220 mA,410 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
FDG6322C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0183
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7570S, 156 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
FDMS7570S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6336
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8778, 35 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
FDD8778
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9112
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3622S, 34 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
FDMS3622S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1168
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Microchip MCP87 系列 N沟道 Si MOSFET MCP87130T-U/LC, 42 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
MCP87130T-U/LC
品牌:
Microchip
库存编号:
775-7416
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4858NT4G, 73 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
NTD4858NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0532
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTS4409NT1G, 700 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
NTS4409NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4770
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD14N03RT4G, 14 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
NTD14N03RT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1750
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7582, 17 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
FDMC7582
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3494
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR850DP-T1-GE3, 20 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SIR850DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1294
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ036NE2LS, 40 A, Vds=25 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
BSZ036NE2LS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9376
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