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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1403CDL-T1-GE3, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI1403CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3213
  
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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI1912EDH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3235
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI9933CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3395
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI7615ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9248
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SQ3460EV-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9468
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI1469DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3081
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, 1.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI1922EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3091
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI3433CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3142
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI3460DDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3158
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI3464DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3167
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA923EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SIA923EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1244
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR484DP-T1-GE3, 17 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SIR484DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1281
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI5513CDC-T1-GE3, 3 A，3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI5513CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1330
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI5855CDC-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI5855CDC-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1346
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI5935CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1352
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI6968BEDQ-T1-GE3, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI6968BEDQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1374
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7635DP-T1-GE3, 21 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI7635DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1407
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SIA429DJT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1450
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2301CDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI2301CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0250
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3446ADV-T1-E3, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI3446ADV-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3291
  
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• Vishay 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 SI4500BDY-T1-E3, 3.8 A, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI4500BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3342
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1012CR-T1-GE3, 630 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI1012CR-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9005
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI3442CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9226
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SI7655DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9257
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA461DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  SIA461DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9291
  
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