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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7607TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-776
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML2402TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-016
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  BSS816NW H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7113
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7204PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9632
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7101PBF, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7101PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0238
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7301PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0698
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7307PBF, 4.7 A，5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7307PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0705
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7331PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2058
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7422D2PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7422D2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2452
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7425PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3943
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML6244TRPBF, 6.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML6244TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7228
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH6200TR2PBF, 45 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRFH6200TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7284
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  BSC026N02KS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8154
  
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• Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7324PBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7324PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0280
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204TRPBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7204TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8831
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7324TRPBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7324TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8881
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS223PWH6327XTSA1, 310 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  BSS223PWH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9991
  
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• Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NWH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  BSS214NWH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0030
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  BSS806NEH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0109
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302GTRPBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML6302GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3310
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSD816SNH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  BSD816SNH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8485
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  BSR802N L6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2251
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS205N H6327, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  BSS205N H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2374
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6402TRPBF, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML6402TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-322
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7504TRPBF, 1.7 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7504TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-748
  
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