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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4310ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-821
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  BSH114,215
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  508-539
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 H2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  STH310N10F7-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2006
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  BSS123
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8117
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IPP023N10N5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7116
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2110A, 230 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  ZVP2110A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  157-4580
  
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• Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9140
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  189-0955
  
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• Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF140, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRF140
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  263-6910
  
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• NXP N沟道 Si MOSFET BUK9575-100A,127, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  BUK9575-100A,127
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  484-2915
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  STB35NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7232
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  STB40NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7248
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  STP40NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7642
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN2NF10, 2.4 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  STN2NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2149
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9581
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFP9140PBF, 21 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP9140PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9727
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFL4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9884
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL110PBF, 1.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFL110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0418
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFD9120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0553
  
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• Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL520NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRL520NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1196
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRL540NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1219
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP140NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1269
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU9120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1275
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1310NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1506
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1613
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电压 100 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1663
  
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