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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI9934BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3399
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI7405BDN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1400
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI3865DDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4270
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1417EDH-T1-E3, 2.7 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1417EDH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3229
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI2333DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4691
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI1442DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1442DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9134
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9222
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI8806DB-T2-E1, 3.9 A, Vds=12 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI8806DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9272
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3447CDV-T1-GE3, 6.2 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI3447CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3154
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333CDS-T1-GE3, 5.1 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI2333CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3260
  
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• Vishay 双 P沟道 Si MOSFET Si1965DH-T1-GE3, 1.2 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  Si1965DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3104
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3477DV-T1-GE3, 8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI3477DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3160
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SIA517DJ-T1-GE3, 4.3 A，4.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SIA517DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1225
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SIA533EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SIA533EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1229
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2315ES-T1_GE3, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SQ2315ES-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3901
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si P沟道 MOSFET SI8483DB-T2-E1, 16 A, Vds=12 V, 6引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI8483DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9279
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI1422DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1422DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3072
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4866BDY-T1-GE3, 21 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI4866BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1309
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4220
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5914
  
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