以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 SC-61B封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  BF998
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  509-289
  
• 
  搜索

• Nexperia N沟道 Si MOSFET BF908WR,115, 40 mA, Vds=12 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  BF908WR,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  626-2428
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI9934BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3399
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET ECH8652-TL-H, 6 A, Vds=12 V, 8引脚 ECH封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  ECH8652-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0838
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH3374-TL-E, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 MCHP封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  MCH3374-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0917
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 SCH1335-TL-H, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SCH封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SCH1335-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1103
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI7405BDN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1400
  
• 
  搜索

• ROHM P沟道 Si MOSFET RZF030P01TL, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  RZF030P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7829
  
• 
  搜索

• ROHM Si P沟道 MOSFET RZR025P01TL, 2.5 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  RZR025P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7835
  
• 
  查看其他仓库

• ROHM Si P沟道 MOSFET RZR040P01TL, 4 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  RZR040P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7838
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA908PZ, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  FDMA908PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8183
  
• 
  查看其他仓库

• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13306WT, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 DSBGA封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  CSD13306WT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9927
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI3865DDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4270
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML6401TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4713
  
• 
  搜索

• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP1022UFDF-7, 11 A, Vds=12 V, 6引脚 UDFN封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  DMP1022UFDF-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1136
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7910PBF, 10 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  405-521
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  FDN306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0416
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1417EDH-T1-E3, 2.7 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1417EDH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3229
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI2333DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4691
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD306P, 6.7 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  FDD306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9065
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL100N1VH5, 100 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  STL100N1VH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9635
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH6336-TL-E, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 MCPH封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  MCH6336-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0828
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET SI1442DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1442DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9134
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电压 12 V,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9222
  
• 
  搜索