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• Semelab Si N沟道 MOSFET D2002UK, 2 A, Vds=65 V, 3引脚 DP封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  D2002UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7698
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET D2012UK, 4 A, Vds=65 V, 3引脚 DP封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  D2012UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7705
  
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• STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD57006-E, 1 A, Vds=65 V, 4引脚 PowerSO封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  PD57006-E
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6774
  
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• Semelab 双 Si N沟道 MOSFET D2013UK, 4 A, Vds=65 V, 5引脚 DK封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  D2013UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7714
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET D2019UK, 1 A, Vds=65 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  D2019UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7717
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET D2081UK.F, 200 mA, Vds=65 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  D2081UK.F
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7720
  
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• STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD57060-E, 7 A, Vds=65 V, 2引脚 PowerSO-10RF封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  PD57060-E
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  110-6593
  
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• Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 D2001UK, 1 A, Vds=65 V, 3引脚 DP封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  D2001UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7694
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET D2020UK, 2 A, Vds=65 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  D2020UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7711
  
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• STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET SD57045, 5 A, Vds=65 V, 3引脚 M243封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  SD57045
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2817
  
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• NXP 双 N沟道 MOSFET 晶体管 BLF368,112, 25 A, Vds=65 V, 5引脚 CDFM封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  BLF368,112
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-3055
  
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• NXP 双 N沟道 MOSFET 晶体管 BLF248,112, 25 A, Vds=65 V, 5引脚 CDFM封装
  
  规格：最大漏源电压 65 V,
• 制造商零件编号：
  BLF248,112
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-3049
  
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