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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFBC40LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0159
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241PBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7241PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1459
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK80ZFP, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  STP8NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0190
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD7N25LZTM, 6.2 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDD7N25LZTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0931
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI8487DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1429
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N60C3, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SPP06N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2175
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0830
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5659
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMN3A06DN8TA, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN3A06DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2444
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3447CDV-T1-GE3, 6.2 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI3447CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3154
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC40STRL-GE3, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC40STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2705
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDC637BNZ, 6.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SSOT封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDC637BNZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4138
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW8NK80Z, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  STW8NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-6264
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC40PBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFBC40PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9513
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241TRPBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7241TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8844
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFBC40APBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  IRFBC40APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9529
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4764
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI9410BDY-T1-E3, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SI9410BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4777
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STP8NK80Z, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  STP8NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0196
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2066UFDE-7, 6.2 A, Vds=20 V, 6引脚 U-DFN2020封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  DMP2066UFDE-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5159
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK6A60W,S4VX(M, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  TK6A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5182
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDC637AN, 6.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  FDC637AN
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0840
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ4431EY-T1_GE3, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  SQ4431EY-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3920
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK6A60W,S4VX(M, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  TK6A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6261
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK6A60W,S4VX(M, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.2 A,
• 制造商零件编号：
  TK6A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2426
  
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