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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN20EN, 6.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  PMN20EN
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-6906
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z14PBF, 6.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z14PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9478
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD306P, 6.7 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  FDD306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9065
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDD4243, 6.7 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  FDD4243
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0884
  
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• DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2040LTS-13, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  DMN2040LTS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2551
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7404TRPBF, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7404TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8917
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7404PBF, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7404PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9383
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPF50PBF, 6.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRFPF50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9901
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS4101PT1G, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  规格：最大连续漏极电流 6.7 A,
• 制造商零件编号：
  NTHS4101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0595
  
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