品牌:Toshiba,规格:最大连续漏极电流 6 A,
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半导体
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
品牌:Toshiba,规格:最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号:
TK6A65D(STA4,X,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5191
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
品牌:Toshiba,规格:最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号:
TK6A65D(STA4,X,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2420
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4013,S5Q(J, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 SC-67封装
品牌:Toshiba,规格:最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号:
2SK4013,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4823
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK6A60D,S5Q(J, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 SC-67封装
品牌:Toshiba,规格:最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号:
TK6A60D,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5188
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Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK4013,S5Q(J, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 SC-67封装
品牌:Toshiba,规格:最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号:
2SK4013,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
890-2698
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK6A60D,S5Q(J, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 SC-67封装
品牌:Toshiba,规格:最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号:
TK6A60D,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2423
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