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• NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  PMF170XP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8120
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFD9120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0553
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD1N60CTM, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  FQD1N60CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0983
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS332P, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  NDS332P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1087
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK60T4, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  STD1NK60T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5181
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3601N, 1 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  FDC3601N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9015
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN1NF10, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  STN1NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2883
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQT5P10TF, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  FQT5P10TF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1068
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD1NK80ZT4, 1 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  STD1NK80ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5150
  
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• STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD57006-E, 1 A, Vds=65 V, 4引脚 PowerSO封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  PD57006-E
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6774
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET D2019UK, 1 A, Vds=65 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  D2019UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7717
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMG1012UW-7, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  DMG1012UW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4073
  
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• Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3074(TE12L,F), 1 A, Vds=30 V, 3引脚 PW Mini封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  2SK3074(TE12L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  760-3132
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206GVTA, 1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  ZVN4206GVTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1836
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP322PH6327XTSA1, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  BSP322PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9279
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD110PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  IRLD110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  301-338
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD1NK60-1, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  STD1NK60-1
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2704
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NVR1P02T1G, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  NVR1P02T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-2534
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDMC86265P, 1 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC86265P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8234
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206GTA, 1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  ZVN4206GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7636
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK2992(TE12L,F), 1 A, Vds=200 V, 4引脚 PW Mini封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  2SK2992(TE12L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-225
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD1N80TM, 1 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  FQD1N80TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0986
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU1N60CTU, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  FQU1N60CTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5345
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR1P02T1G, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  NTR1P02T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9143
  
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• Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 D2001UK, 1 A, Vds=65 V, 3引脚 DP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 1 A,
• 制造商零件编号：
  D2001UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7694
  
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