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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8884, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  FDS8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0722
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD11NM50N, 8.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  STD11NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9875
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF12N65M5, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  STF12N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2748
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-GE3, 8.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  SI4850EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9014
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 EMH1405-TL-H, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 EMH封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  EMH1405-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0881
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  SIA429DJT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1450
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H170SFG-13, 8.5 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  DMN10H170SFG-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0538
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB9N65APBF, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB9N65APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1938
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H170SFG-7, 8.5 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  DMN10H170SFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0468
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7403PBF, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7403PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9840
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6068LK3-13, 8.5 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  DMN6068LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4200
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-GE3, 8.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  SI4850EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4191
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3026LVT-7, 8.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOT-26封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  DMN3026LVT-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1082
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP12N65M5, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  STP12N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9991
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD12N65M5, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  STD12N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0685
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7403TRPBF, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7403TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4957
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-GE3, 8.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 8.5 A,
• 制造商零件编号：
  SI4850EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5885
  
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