规格:最大连续漏极电流 4 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
STS4DPF30L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-861
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
SI9933CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3395
搜索
Semelab Si N沟道 MOSFET D2012UK, 4 A, Vds=65 V, 3引脚 DP封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
D2012UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7705
查看其他仓库
Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
TSM2310CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6052
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
SPP04N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3197
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDFS6N754, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
FDFS6N754
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9125
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
STFW4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0503
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTJS3157NT1G, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
NTJS3157NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0624
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2SK3748-1E, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
2SK3748-1E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0734
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI620GPBF, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
IRFI620GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0708
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9630STRL-GE3, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
SIHF9630STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2663
搜索
ROHM N沟道 Si MOSFET RUR040N02TL, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 TSMT封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
RUR040N02TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7813
搜索
ROHM Si P沟道 MOSFET RZR040P01TL, 4 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
RZR040P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7838
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC642P_F085, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
FDC642P_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8017
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50UT, 4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
FDPF5N50UT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8619
搜索
STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD55008-E, 4 A, Vds=40 V, 3引脚 PowerSO封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
PD55008-E
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2810
搜索
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
IXTA4N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1489
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
NDT3055
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
917-5563
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3402L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
DMG3402L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1026
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3418L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
DMG3418L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1035
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET STS4DPF20L, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
STS4DPF20L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-855
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP4NK60Z, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
STP4NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7686
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP4NK60ZFP, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
STP4NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2313
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510SPBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
IRF9510SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4126
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Semelab 双 Si N沟道 MOSFET D2013UK, 4 A, Vds=65 V, 5引脚 DK封装
规格:最大连续漏极电流 4 A,
制造商零件编号:
D2013UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7714
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