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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  STP6NK90ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1575
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB6N80TM, 5.8 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  FQB6N80TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0927
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  STP6NK90ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5336
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV16UN, 5.8 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  PMV16UN
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2782
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H099SFG-7, 5.8 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  DMN10H099SFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1041
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3404L-7, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  DMN3404L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8361
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7406PBF, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7406PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9856
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD7N10LTM, 5.8 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  FQD7N10LTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1024
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB6NK90ZT4, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  STB6NK90ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5140
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3446ADV-T1-E3, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  SI3446ADV-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3291
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFML8244TRPBF, 5.8 A, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  IRFML8244TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7219
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3404L-7, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  DMN3404L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4171
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP2066LSD-13, 5.8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  DMP2066LSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4222
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB6NK90ZT4, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  STB6NK90ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6639
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP4025LSD-13, 5.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  DMP4025LSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8597
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90Z, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  STP6NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5330
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS3136PT1G, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  NTGS3136PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0563
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2366DS-T1-GE3, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  SI2366DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3132
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3051L-7, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  DMN3051L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2573
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP3056LSD-13, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  DMP3056LSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2637
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW7NK90Z, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  STW7NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0345
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFTS9342TRPBF, 5.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  IRFTS9342TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5151
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7406TRPBF, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.8 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7406TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4951
  
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