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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC5614P, 5.7 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC5614P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0384
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17KTC, 5.7 A, Vds=70 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMP7A17KTC
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5376
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD7P20TM, 5.7 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  FQD7P20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4948
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17KTC, 5.7 A, Vds=70 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMP7A17KTC
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8516
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD7P20TM, 5.7 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  FQD7P20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1034
  
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• Nexperia P沟道 Si MOSFET PMN27UP, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  PMN27UP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2763
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP8P10, 5.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  FQP8P10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5879
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDMA420NZ, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  FDMA420NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6244
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R750PTH, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  MMF60R750PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5040
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R750E6, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  IPA60R750E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2315
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7601PBF, 5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 微型封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7601PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5053
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI4431BDY-T1-E3, 5.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  SI4431BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4714
  
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• Nexperia N沟道 Si MOSFET PMN28UN,135, 5.7 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  PMN28UN,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8405
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K0C3, 5.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  IPW90R1K0C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7658
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R750E6, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.7 A,
• 制造商零件编号：
  IPD60R750E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4482
  
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