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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  FDS6930B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0655
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF6N80C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5290
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD05N50ZT4G, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  NDD05N50ZT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2806
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF05N50ZG, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  NDF05N50ZG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2816
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 4引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  STP6N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0168
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF9N60M2, 5.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  STF9N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3671
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDU7N60NZTU, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  FDU7N60NZTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0710
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF730AS-GE3, 5.5 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  SIHF730AS-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2648
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH6421-TL-W, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH6封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  MCH6421-TL-W
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  920-9815
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PHT6N06T, 5.5 A, Vds=55 V, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  PHT6N06T
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  509-926
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  FQP6N80C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5161
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP3A16DN8TA, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMP3A16DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2466
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD05N50Z-1G, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  NDD05N50Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2803
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3420U-7, 5.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  DMG3420U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4092
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  STD6N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9922
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP9N60M2, 5.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  STP9N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3811
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH6421-TL-E, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  MCH6421-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0951
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDD7N60NZTM, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  FDD7N60NZTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8108
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB6N60APBF, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  IRFIB6N60APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1950
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL2703PBF, 5.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  IRLL2703PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0989
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSL307SP, 5.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  BSL307SP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2793
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC604P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  FDC604P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3524
  
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• ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET ECH8667-TL-H, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 ECH封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  ECH8667-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  801-0143
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD6N50FTM, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  FDD6N50FTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0925
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD7N30TM, 5.5 A, Vds=300 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 5.5 A,
• 制造商零件编号：
  FQD7N30TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1037
  
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