规格:最大连续漏极电流 33 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRFP140NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1269
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRF540NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2458
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFIZ46NPBF, 33 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRFIZ46NPBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
542-9759
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB33N10LTM, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
FQB33N10LTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0885
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP33N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
FDP33N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4819
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRFR4615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7042
搜索
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NID5001NT4G, 33 A, Vds=42 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
NID5001NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9118
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB34P10TM_F085, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
FQB34P10TM_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-8998
搜索
ROHM N沟道 Si MOSFET RCX330N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FM封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
RCX330N25
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7721
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSTRLPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRF540NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2831
搜索
Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHB33N60EF-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
SiHB33N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4481
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NLPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRF540NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5028
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL5615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRFSL5615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5141
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4615, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
AUIRFR4615
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8637
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615TRLPBF, 33 A, Vds=150 V, 3针+焊片 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRFR4615TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5020
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
FQP33N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5095
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
STP42N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5201
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
STW42N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5223
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
STB42N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0402
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4615TRLPBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRFS4615TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4114
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF33N25T, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
FDPF33N25T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4166
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Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHB33N60E-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
SIHB33N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4478
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRF540NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4959
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
STP42N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8828
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 33 A,
制造商零件编号:
IRFS4615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7103
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