规格:最大连续漏极电流 8.2 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET DMC3026LSD-13, 8.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 8.2 A,
制造商零件编号:
DMC3026LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1029
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4685, 8.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 8.2 A,
制造商零件编号:
FDS4685
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0520
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTHS4166NT1G, 8.2 A, Vds=30 V, 8引脚 ChipFET封装
规格:最大连续漏极电流 8.2 A,
制造商零件编号:
NTHS4166NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1042
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A16KTC, 8.2 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 8.2 A,
制造商零件编号:
ZXMP6A16KTC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5169
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFTS8342TRPBF, 8.2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大连续漏极电流 8.2 A,
制造商零件编号:
IRFTS8342TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4127
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC89521L, 8.2 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大连续漏极电流 8.2 A,
制造商零件编号:
FDMC89521L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8240
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