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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 SC-61B封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  BF998
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  509-289
  
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• NXP N沟道 Si MOSFET BF904,215, 30 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  BF904,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  510-005
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 3SK293(TE85L,F), 30 mA, Vds=12.5 V, 4引脚 USQ封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  3SK293(TE85L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  756-0388
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET LND150N8-G, 30 mA, Vds=500 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  LND150N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3253
  
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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1201WR,115, 30 mA, Vds=10 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  BF1201WR,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2169
  
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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1202WR,115, 30 mA, Vds=10 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  BF1202WR,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2181
  
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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1211WR,115, 30 mA, Vds=6 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  BF1211WR,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2248
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET LND150N3-G, 30 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  LND150N3-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3250
  
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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET 四极管 BF1208,115, 30 mA, Vds=6 V, 6引脚 SOT-666封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  BF1208,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2254
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BF996S,215, 30 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  BF996S,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2456
  
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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998WR,115, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  BF998WR,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2478
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 3SK294(TE85L,F), 30 mA, Vds=12.5 V, 4引脚 USQ封装
  
  规格：最大连续漏极电流 30 mA,
• 制造商零件编号：
  3SK294(TE85L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  756-0382
  
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