规格:最大连续漏极电流 30 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET晶体管和二极管 IXFX30N100Q2, 30 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IXFX30N100Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
193-947
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK3176(F), 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
2SK3176(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-247
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD220N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7435
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0541
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NSPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRLZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0614
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Semelab 双 Si N沟道 MOSFET D1028UK, 30 A, Vds=70 V, 5引脚 扭杆封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
D1028UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7682
搜索
Semelab Si N沟道 MOSFET D1017UK, 30 A, Vds=70 V, 4引脚 DM封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
D1017UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7685
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6612A, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
FDD6612A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9096
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
BUZ11_NR4941
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3515
搜索
Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW30N60S1HF, 30 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
FMW30N60S1HF
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9008
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
SIS890DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9395
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP106-TL-H, 30 A, Vds=40 V, 3引脚 ATPAK封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
ATP106-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9484
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IXFH30N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1386
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8018, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
FDMS8018
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3513
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86250, 30 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
FDMS86250
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3526
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF20, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
STB30NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-7499
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ROHM Si N沟道 MOSFET RSJ300N10TL, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 SC-83封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
RSJ300N10TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7769
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
TK30A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6179
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N03S2L-20
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4580
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-23, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N06S2-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4584
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N06S4L-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4593
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
STFW38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7466
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3796
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRFP250NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4810
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP36NF06L, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
STP36NF06L
品牌:
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库存编号:
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