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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU1018EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7115
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1018ETRPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR1018ETRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4022
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16406Q3, 79 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  CSD16406Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  914-2939
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  IRF1018EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6800
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR1018E, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR1018E
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1831
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF1018ES, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1018ES
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9114
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA030N10N3 G, 79 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  IPA030N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7431
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1018ESTRLPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  IRF1018ESTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4932
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4936NT1G, 79 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4936NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4720
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1018ESLPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  IRF1018ESLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5031
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1018ESPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  IRF1018ESPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6803
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR1018EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7024
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB2532, 79 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  FDB2532
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8951
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4904NT4G, 79 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  NTD4904NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0539
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1018E, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大连续漏极电流 79 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1018E
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9111
  
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