规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
SPP08N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8794
搜索
Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R500CE, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
IPP50R500CE
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2270
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD10N20LZTM, 7.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
FDD10N20LZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9124
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS3580, 7.6 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
FDS3580
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3636
搜索
DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2041LSD-13, 7.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
DMN2041LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3223
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
SPP08N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8790
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRLHS6376TRPBF, 7.6 A, Vds=30 V, 6引脚 PQFN封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
IRLHS6376TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5092
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPI08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
SPI08N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8750
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8449_F085, 7.6 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
FDS8449_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8704
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDS8449, 7.6 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
FDS8449
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0703
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
SPA08N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8463
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 7.6 A,
制造商零件编号:
SPD08N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3184
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