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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  STP35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6477
  
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• Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF140, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IRF140
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  263-6910
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  SIR466DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3406
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5004TR2PBF, 28 A, Vds=40 V, 8引脚 QFN封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IRFH5004TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9268
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB50N25M5, 28 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  STB50N25M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0682
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  STF34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2992
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  SIS892ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9399
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN039-100YS, 28 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  PSMN039-100YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2886
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP301-TL-H, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  ATP301-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9516
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFQ28N60P3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IXFQ28N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4451
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN32N100Q3, 28 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IXFN32N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7574
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL540STRL-GE3, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  SIHL540STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0691
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH130N60, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  FCH130N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1287
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA180N10N3 G, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IPA180N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2286
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705TRPBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR2705TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4809
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  STB35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6462
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STF35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  STF35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6464
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  STW35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6482
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705PBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0557
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF540SPBF, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IRF540SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4737
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  STP34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2980
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  STW34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2996
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7456DDP-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  SI7456DDP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9244
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH28N60P3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  IXFH28N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4379
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8451, 28 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大连续漏极电流 28 A,
• 制造商零件编号：
  FDD8451
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0935
  
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